linear mw band 2-10w με 2 IRF640 mosfet

[tzitzikas]

linear medium waves 2-10w με 2 mosfet IRF640. οδηγείται απο το pll που παρουσίασα εδώ: http://www.hlektronika.gr/forum/showthread.php?t=45980
πάνω στην πλακέτα έχω συνδέσει +2 ακόμα mosfet IRF640 για λίγο περισσότερο ισχύ (δεν βγάζει τα διπλάσια watt). Είναι και αυτά συνδεδεμένα, αλλά έχω αποσυνδέσει τα source τους, ώστε να είναι προς το παρόν εκτός κυκλώματος.
Τα στάδιά του είναι BC546, BD139, 2xIRF640 (Ή 4xIRF640). Διαμόρφωση γίνεται απο το pll.
Οι δοκιμές έγιναν με τροφοδοσία απο 12 ως 24volt. Στα 24volt είχε πολύ καλύτερη διαμόρφωση απο ότι στα 12volt. Θέλει μεγάλη ψύκτρα γιατι βγάζει πολύ θερμότητα. Oι δοκιμές έγιναν σε φορτίο 50Ω/40w που έχω στην παρακάτω φωτο.
Η πλακέτα είναι σχεδιασμένη απο τον badsak (A67) και το κύκλωμα απο τον zerc. Τους ευχαριστώ εδώ για την πολυτιμη βοηθειά τους. Επόμενος στόχος linear 500watt με 12 mosfet IRFP360 στα 110Vdc. Στόχος είναι καποια στιγμή να αλλαχτεί το υπάρχον σύστημα εκπομπής του 1431ΑΜ με αυτό το σύνολο.
οι φωτος είναι απο κινητό. δεν είναι πολύ καθαρές.

video:
http://www.youtube.com/watch?v=2KMkbtEzDZ4 (το λινεαρ υπο δοκιμή στα 23volt)

[tzitzikas]

φορτίο 50Ω/40w

[FM1]

Μπράβο ρε tzitzika τόσο το am pll όσο και το linear με τα IRF Mosfet αποτελούν ένα ελκυστικό σετάκι:wiink:
Άντε και εις ανώτερα:001_smile:

[Ακρίτας]

Επόμενος στόχος linear 500watt με 12 mosfet IRFP360 στα 110Vdc.
Φίλε Παναγιώτη πολύ καλή ιδέα και προσπάθεια! Έχω όμως δυο ενστάσεις σε ότι αφορά τα μελοντικά σου σχέδια.
1) Το IRFP360 εμφανίζει χωρητικότητα εισόδου (στον 1MHz) 4000 pF, σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή του. Αυτό σημαίνει ότι η ήδη πολύ χαμηλή αντίσταση εισόδου που παρουσιάζει στην RF θα γίνει τέλειο βραχυκύκλωμα όταν θα βάλεις 12 τέτοια παράλληλα (48000 pF). Το IRF640 που χρησιμοποιείς στο linear έχει αντίστοιχα χωρητικότητα εισόδου 2200 pF που και αυτή είναι μεγάλη.
2) Ο χειρισμός των πολύ υψηλών ρευμάτων που θα απαιτηθεί για την τροφοδοσία των fet είναι εξίσου δύσκολος (για να μην πω δυσκολότερος) από τον χερισμό των υψηλών τάσεων που απαιτούνται για τις λυχνίες (χοντροί πολύκλωνοι αγωγοί, λάμες κλπ.).
Άποψή μου είναι να μείνεις σε ένα επίπεδο ισχύος 20 - 30 W με fet ή διπολικά τρανζίστορ και για τον τελικό ενισχυτή να χρησιμοποιήσεις λυχνίες. Ιδανικές για την ισχύ που θέλεις ειναι οι 2 παράλληλες 811 σε συνδεσμολογία γειωμένου πλέγματος (GG).

[tzitzikas]

ευχαριστω φιλε ακριτας για τις οδηγίες. το κύκλωμα το έχει κατασκευάσει ο zerc που έδωσε τα σχεδια. Του έχει δουλέψει πολύ καλά λεει. μπορείς να δεις το κύκλωμα στο http://anodos.freeforums.org/technical-topic-f5.html (http://anodos.freeforums.org/linear-500w-2000w-pep-t829-30.html)
http://anodos.freeforums.org/linear-500w-2000w-pep-t829-30.html
και το οδηγεί με IRF. τα ρεύματα όντως ειναι μεγάλα, σίγουρα, θα γίνει προσεχτικά η καλωδίωση με τις αντίστοιχες διατομές. τα φετ είναι 6+6 IRFP360. αν θες μπορείς να δείς το κύκλωμα.
επειδή δουλεύω 813, και η 813 σε τάξη Β βγάζει μόνο 50βατ για 2 813 εχεις καποιο κύκλωμα να προτεινεις? με 2 811 που λές πόσα βατ θα έχω? ευχαριστω.

υ.γ σε ένα άλλο site me linear με μοσφετ διαβασα αυτο "...Each transistor gate is loaded down with a 200 ohm resistor selected to mask the input capacitive reactance within the MF range.." (απο http://users.tpg.com.au/users/ldbutler/MosfetLinear.htm ). στο κύκλωμα με τα 12 irfp360 , υπάρχουν αντιστάσεις 12Ω σε κάθε πύλη.

[Ακρίτας]

Παναγιώτη, σε κυκλώματα ενισχυτών με πάνω από ένα fet χρησιμοποιείται, από ότι έχω δει, συμμετρική διάταξη, όπως στο σύνδεσμο που δίνεις, έτσι ώστε η χωρητικότητα εισόδου να μη παραλληλίζεται. Όπως και να έχει το θέμα η πράξη θα δείξει.
Η 811Α σε συνδεσμολογία γραμμικού ενισχυτή και ανοδική τάση 1250V δίνει 120 W για συνεχή λειτουργία (CCS). Συνήθως σε ραδιοερασινεχνικούς (βιομηχανικούς) ενισχυτές χρησιμοποιούνται 4 παράλληλα. Περισσότερα στοιχεία εδώ:http://www.nj7p.org/Tube4.php?tube=811A
Για τα fet ρίξε μια ματιά και εδώ:http://amfone.net/21stAM/