PDA

Επιστροφή στο Forum : πυκνωτές MOS



Βίβι@ν
30-04-10, 19:22
Γεια σας! Είναι η πρώτη φορά που ανοίγω ένα θέμα στο forum σας..!Έχω ένα θέμα που με απασχολεί και θα ήθελα να σας ζητήσω μια μικρή βοήθεια.:001_huh::confused1: Έχω μια εργασία στα υλικά(μέθοδοι χαρακτηρισμού υλικών) . Η εργασία αναφέρεται και στους πυκνωτές MOS. Αναλύει , πως αν το υπόστρωμα του πυκνωτή είναι τύπου p(δηλαδή έχει φορείς μειονότητας τα ηλεκτρόνια και πλειονότητας τις οπές, και αποδεκτές Na(-) )η χωρητικότητα στο διάγραμμα C-V, στην περιοχή συσσώρευσης μειώνεται καθώς μεταβαίνουμε στην περιοχή απογύμνωσης. Αντίστοιχα εάν είναι τύπου n(δηλαδή έχει φορείς πλειονότητας τα ηλεκτρόνια και φορείς μειονότητας τις οπές, με δότες ND(+))η χωρητικότητα στο διάγραμμα C-V, στην περιοχή συσσώρευσης αυξάνεται καθώς μεταβαίνουμε στην περιοχή απογύμνωσης. Η άσκηση επί της ουσίας μας ρωτάει το λόγο που συμβαίνει αυτό. Εγώ αυτό που σκέφτηκα αρχικά είναι πως εάν έχω πυκνωτή τύπου p, αυτή η έλλειψη ηλεκτρονίων θα προκαλεί μια θετική φόρτιση στον πυκνωτή, ενώ εάν έχω πυκνωτή τύπου n, θα προκαλεί μια αρνητική φόρτιση στον πυκνωτή, αφού έχει περίσσεια ηλεκτρονίων. Ωστόσο, έχω την εντύπωση πως η μορφή του διαγράμματος σχετίζεται με την πολικότητα και με τους εκάστοτε φορείς μειονότητας.Οπότε η απορία μου είναι τι προκαλεί μείωση της χωρητικότητας σε έναν πυκνωτή τύπου p και τύπου n. Ευχαριστώ εκ των προτέρων.:001_smile:

Βίβι@ν
30-04-10, 20:23
βασικά , τώρα που τα ξανασκέφτομαι, στην περιοχή συσσώρευσης σε ενα πυκνωτή τύπου p,μαζεύεται όλο το θετικό φορτίο στην πλάκα του οξειδίου για αρνητική τάση, ενώ για θετική τάση λαμβάνει χώρα η απογύμνωση κατα την οποία η θετική τάση , έχει ως αποτελεσμα να παραμένουν στην επιφάνεια τα αρνητικά φορτία.Άρα απο εκεί που το φορτίο ήταν θετικό , έγινε αρνητικό δηλαδή επείλθε η μείωση..ειναι αυτος βασιμος συλλογισμός ομως? :/