ΕΝΑ ΣΧΕΔΙΑΚΙ ΑΠΟ ΕΜΕΝΑ ΣΤΑ 50 WATTΣυνημμένο Αρχείο 67696
Printable View
ΕΝΑ ΣΧΕΔΙΑΚΙ ΑΠΟ ΕΜΕΝΑ ΣΤΑ 50 WATTΣυνημμένο Αρχείο 67696
Τόσο απλά? πάμε γερά Νεκτάριε δώσε τα φώτα σου.
Είχες ανεβάσει δυο σχέδια. Το ένα έχει για πόλωσης/bias του mosfet, μια αντίσταση 10Κ.
Το άλλο (και λάθος) είχε απο τα 14VDC μόνο μια αντίσταση 100 ohm !!!.
Τώρα ερχόμαστε στο σχέδιο που άφησα. Οχι οτι αυτό είναι σωστό, απλά είναι "σωστότερο"
απο το προηγούμενο. Η πόλωση θα πρέπει να ρυθμίζεται έτσι ώστε να πετύχουμε όσο είναι
εφικτό, την καλύτερη δυνατή λειτουργία (του mosfet).
Ελπίζω μη με παρεξηγήσεις, αλλά ανεβάζω ένα άλλο σωστότερο σχεδιάκι για να δούμε την
πόλωση (Bias) που έλεγα. Οκ είναι για το RD15HVF1 ... αλλά δεν πειράζει.
Συνημμένο Αρχείο 67705
Και σε όλα τα σχέδια αυτού του τύπου θα πρέπει να προσθέτουμε ότι οι τιμές που αναφέρονται στο σχέδιο εφ' όσον είναι σωστές, στην πράξη μπορεί να διαφέρουν και πολύ εξαρτώμενες από την συγκεκριμένη κατασκευή- την τοποθέτηση των υλικών στην πλακέτα και πολλά άλλα
Στο συγκεκριμένο σχέδιο πέτυχα την καλύτερη ομαλή λειτουργία του mosfet Απλή "κατασκευουλα" με φτηνά υλικά και "αριστες" προσαρμογές σε στάσιμα και αρμονικές :001_rolleyes:
Συγχωρέστε μου την άγνοια, αλλά πως γίνεται ένα τρανζίστορ να αποδίδει περισσότερα απ' όσα υπόσχεται ο κατασκευαστής;
Σύμφωνα με το datasheet μπορεί να δώσει 35W τροφοδοτούμενο με 12,5Vdc. Άντε και του ρίξαμε 14Vdc, πόση παραπάνω ισχύ θα βγάλει;
Είσαι σίγουρος;
Συνημμένο Αρχείο 67709
Πολυ σωστι παρατηρηση Νικο ηλεκτρολυτικος??? Εβγαλα λοιπον τον 10 πικο και εβαλα 10 μφ το τρνζιστορ εχασε 4 βαθμους θερμοκρασια
kgiannaras - Μαθήματα - users.sch.gr
users.sch.gr βΊ Home βΊ Μαθήματα
Πόλωση και θερμική σταθεροποίηση τρανζίστορ ..... Συχνά το τρανζίστορ δεν περιέχεται μέσα στο ολοκληρωμένο κύκλωμα για να ... Ο ηλεκτρολυτικός πυκνωτής C2 έχει χαμηλή αντίσταση στη μέση περιοχή των ..... Συνεπώς, η στάθμη σταθεροποιημένης τάσης εξόδου V0 μπορεί να ρυθμίζεται κατά βούληση μέσω της Rf η της Ri.
Transistor RFβ
<
Silicon RF
Power
MOS FET
(
Discrete
) >
RD30H
V
F1
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,
175
M
Hz,30W
Publication Date :
Oct
.
2011
6
INPUT/OUTPUT IMPEDANCE VS.FREQUENCY CHARACTERISTICS
Zin
,
Zout
f
Zin
Zout
(MHz)
(ohm)
(ohm)
Conditions
135
0.71
-
j
7.67
1.72
-
j
0.86
Po=
40
W, Vdd=12.5V,Pin=
1
.0
W
146
0.94
-
j6.46
2.12
-
j0.78
Po=
38
W, Vdd=12.5V,Pin=
1.0
W
175
0.53
-
j
5.34
1.87
-
j
0.70
Po=
35
W, Vdd=12.5V,Pin=
1.0
W
και οσο κατεβενης παμε στα 50 αλλα ωριακα:001_cool: