Electronic DC load

[744]

Απο μονες τους οι αντιστασεις 0.1Ω αντισταθμίζουν τα διαφορετικά ρεύματα
Οσο αυξανει η Vgs, αυξανει και το Ids
Ετσι σε μια αυξηση του ρευματος Ids απο τη θερμοκρασια, αυξανει η πτωση τασης στην αντισταση και μειωνει τη Vgs

Έχεις δίκιο αλλά εν μέρη. Χρειάζεται πολύ μεγαλύτερη αντίσταση για να υπάρξει ικανοποιητική θερμική σταθεροποίηση. Σε σχέση με την μικρή τιμή των 0,05-0,22 που συνήθως χρησιμοποιούμε στα διπολικά τρανζίστορ ισχύος που παραλληλίζονται, στα MosFet η αντίσταση αυτή πρέπει να γίνει ασύμφορα μεγάλη.

Έτσι η λύση είναι του ενεργού κυκλώματος για τον απόλυτο έλεγχο της θερμικής διαφυγής. Εκτός να αλλάξουν τα MosFet σε lateral.

[andrewsweet4]

Έχεις δίκιο αλλά εν μέρη. Χρειάζεται πολύ μεγαλύτερη αντίσταση για να υπάρξει ικανοποιητική θερμική σταθεροποίηση. Σε σχέση με την μικρή τιμή των 0,05-0,22 που συνήθως χρησιμοποιούμε στα διπολικά τρανζίστορ ισχύος που παραλληλίζονται, στα MosFet η αντίσταση αυτή πρέπει να γίνει ασύμφορα μεγάλη.

Έτσι η λύση είναι του ενεργού κυκλώματος για τον απόλυτο έλεγχο της θερμικής διαφυγής. Εκτός να αλλάξουν τα MosFet σε lateral.

Και εγώ σε αυτό το συμπέρασμα κατέληξα. Θα μπορούσα να χρησιμοποιήσω και linear mosfets που είναι σχεδιασμένα για λειτουργία στη γραμμική τους περιοχή, αλλά το κόστος ήταν απαγορευτικό. Τις αντιστάσεις στα source των Mosfet δε μπορούσα να τις αυξήσω σε τιμή, καθώς ένα από τα προαπαιτούμενα της κατασκευής μου ήταν να έχει τη δυνατότητα να συμπεριφερθεί όσο το δυνατόν περισσότερο ως βραχυκύκλωμα, για να μπορώ να μετράω το Isc των φωτοβολταϊκών. Οποιαδήποτε έξτρα αντίσταση σε σειρά αύξανε το σφάλμα στις μετρήσεις μου και το απέφευγα.