Παλμοδοτηση MOSFET με PIC

[valis]

Επειδη δε θα χρειαστω 9Α(νομιζω μερικα mA χρειαζονται) μηπως θα πρεπει να χρησιμοποιησω καποιο με χαμηλοτερο πικ?

Αν και το ρεύμα που χρειάζεται είναι αρκετά περισσότερο απ' οτι γράφεις, μπορείς να βάλεις μικρότερο GateDriver μια και το μοσφετ που χρησιμοποιείς έχει μικρή χωρητικότητα πύλης ~ 500pF. Αυτή βέβαια λόγω φαινομένου miller, είναι εμπειρικά 2~5 φορές μεγαλύτερη.

Αν ξέρεις το φορτίο πύλης Qg (συνήθως δίδεται σε nC) μπορείς να υπολογίσεις τις απαιτήσεις σε ρευμα οδήγησης με τον τύπο Ig=Qg (σε nC) /t (transition) (σε nsec)
Στην περίπτωση σου το Qg για οδήγηση 5V είναι 8~9 nC . Το βρίσκεις απο το datasheet του irlz24n (Fig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage) και το t (transition) το επιλεγεις εσύ.
Π.χ. αν επιλέξεις transition time 18nS με φορτίο πύλης 9nC θα θέλεις ρεύμα 9nC/18nS =0.5Α

Εχει σημασια ποσο πικ ρευμα θα εχει το driver η απλα οσο χρειαζεται το mosfet τοσο θα τραβαει?

Το δευτερο. Και καλύτερα να έχει επάρκεια.

Τι μειονεκτηματα η πλεονεκτηματα θα εχει η χρηση driver με μικροτερο πικ?

Μόνο μειονεκτήματα: Αν το GateDriver δεν μπορέσει να δώσει το απαιτούμενο ρεύμα, η πύλη δεν θα αποκτήσει το δυναμικό των 5V στον χρόνο που είναι διαθέσιμος,

Ελπίζω να σε κατατόπισα, αν δεν κατάλαβες κάτι ξαναρώτα.

EDIT: αν δεν θέλεις να μπερδεύεσαι πολύ πάρε όποιο βρεις πιο εύκολα ή όποιο είναι πιο φτηνό, εκτός απο το uc3710

[maverick]

Σε ευχαριστω πολυ για τις απαντησεις σου.Εισαι κατατοπιστικοτατος.
Ψαχνω στην texas instruments και βλεπω εχει αρκετα.
Α και κατι ακομα. Τι σημαινει inverting και non-inverting.Οτι βγαζει αντιθετη ταση απ οτι του βαλεισ και μη αντιθετη αντιστοιχα???
Εγω που θα εχω Νchannel mosfet θα θελω θετικη ταση,αρα non inverting.Σωστα???

[FILMAN]

Όχι, σημαίνει ότι σου αντιστρέφει τη λογική κατάσταση. Δηλαδή χρησιμοποιώντας N channel MOSFET τη μια με inverting και την άλλη με non inverting driver, η διαφορά θα είναι ότι στην πρώτη περίπτωση το MOSFET θα γίνεται αγώγιμο με λογικό 0 από τον μ/ε, ενώ στη 2η περίπτωση θα γίνεται αγώγιμο όταν ο μ/ε δίνει λογικό 1.

[maverick]

ok.εμενα δηλαδη τι με συμφερει να χρησιμοποιησω?Inv η non-Inv?
Η δεν εχει σημασια? εχει να κανει με την κατανάλωση?

[valis]

Ανάλογα το κύκλωμα, συνήθως ΝΙ για boost, στείλε καλύτερα λεπτομέρειες της κατασκευής.

[maverick]

Η κατασκευη ειναι σχετικα απλη.Ο μΕ ειναι ενας dspic30F ο οποιος δινει PWM σε ενα N mosfet (μαλλον το IRLZ24).Περισσοτερες λεπτομερειες εχω στο πρωτο post.
Προσπαθω να ανεβασω εικονα αλλα δε μπορω.Πως γινεται?

[maverick]

Το βρηκα
boost.bmp

[valis]

αν είναι pwm ο υπολογισμός αλλάζει. βρες το ελάχιστο ή το μέγιστο duty cycle ή καλύτερα βρες την ελάχιστη διάρκεια παλμου, διάιρεσε το χρόνο αυτο /5 (αυτό είναι εντελώς εμπειρικό) και εφάρμοσε αυτο τον χρόνο στην συνάρτηση Ig=Qg (σε nC) /t (transition) (σε nsec) γιατι μοιάζει να χρειάζεται υψηλό ρεύμα πύλης.

Γιατί δεν βάζεις το 27321 που καλύπτει τις περισσότερες περιπτώσεις? νομίζω δεν θα βρεις φθηνότερο
http://cgi.ebay.com/UCC27321-Fast-Ga...item2a04ebf9f6

σύγκρινε τιμή με το ICL7667
http://cgi.ebay.com/ICL7667-Dual-Pow...item2305e59280

[maverick]

με προλαβες.αυτο θα ελεγα τωρα.εχω καταληξει στι 27322(non-inverting).
Το duty cycle θα ειναι απο 0.3 μεχρι 0.6 περιπου.Με συχνοτητα 50kHz,T=20μsec
Αρα ελαχιστη διαρκεια παλμου~6μsec/5=1.2 (εμπειρικα οπως ειπες) και με δεδομενο φορτιο πυλης περιπου 15nC εχω
Ι=15nC/1.2μsec=0.0125Α=12.5mA Σωστα??? δε μου φαινεται πολυ μεγαλο η κανω λαθος?

[valis]

Ι=15nC/1.2μsec=0.0125Α=12.5mA Σωστα???

Ναι είναι σωστό. Μάλλον εγώ τα μπέρδεψα.
Πάμε μία απο την αρχή. Το θέμα είναι το t(transition).
Αυτο είναι δική σου επιλογή και έχεις το περιθώριο να κινηθείς ανάμεσα σε 2 τιμές.

1. Ο μέγιστος χρόνος t(transition) καθορίζεται απο την ελάχιστη διάρκεια παλμού που μπορεί να έχει το συγκεκριμένο κύκλωμα, στην περίπτωσή σου 1.2μsec.
Μόνο που το t(transition) αφορά τον χρόνο άνοδο του παλμού και όχι την διάρκεια του.
Χρειάζεσαι λοιπόν ακόμα μικρότερο t(transition) γι αυτό και τον διαιρείς π.χ. /5

2. Εχεις ένα gate driver με απεριόριστο π.χ. ρεύμα. Στην συγκεκριμένη περίπτωση το t(transition)
καθορίζεται απο το ίδιο το irlz24n οπότε έχουμε (εδω μπορεί να κάνω λάθος):
tr= 34 nSec, td(on) 4.9 nSec, σύνολο 38,9 ~ 39 nSec
Οπότε έχουμε 9 nC/39 nSec = 231mA

Η επιλογή 2 έχει τις χαμηλότερες απώλειες (switching loss) οπότε, απο την στιγμή που δεν υπάρχουν άλλοι περιορισμοί,
είναι προτιμώτερη

Η συνάρτηση που λέμε είναι από application notes της microchip αλλά έχω δει και διαφορετικές εκδοχές με άλλο
τρόπο υπολογισμού