Καλησπέρα σας
Αγαπητέ Κ. Θάνο πρώτον συγχαρητήρια για την κατασκευή σας
Κατά τύχη έπεσα επάνω στο άρθρο σου και μου άρεσε το επίπεδο του σχεδιασμού.
Επειδή όμως είμαι της ιδίας δουλειάς και εγώ θα μου επιτρέψεις κάποιες παρατηρήσεις επί του θεωρητικού κυκλώματος χωρίς διόλου να θέλω υποτιμήσω την εργασία σου, παρά μόνο να την βελτιώσω.

Ας αρχίσουμε με το κύκλωμα της παραγωγής συχνότητας και από την επιλογή του ολοκληρωμένου του SG3845. Ενημερωτικά αναφέρω πως αυτό το IC δεν χρησιμοποιείται από κανένα κατασκευαστεί ηλεκτροσυγκολλήσεων inverter παρά τα TL494 SG3524 και SG3525 παλαιότερα δε το TDA1060 και πολλά άλλα.

To SG3845 έχει εσωτερικά ένα flip-flop που δεν επιτρέπει το duty-cycle του σήματος εξόδου να υπερβεί το 50% της εργασίας του, που στην δική μας συγκεκριμένη περίπτωση είναι απαραίτητη. Το 61% είναι η ανώτατη εργασία που επιτρέπεται για κύκλωμα Forward.

To SG3845 έχει πλήρη εφαρμογή στον Fly-back σχεδιασμό και ελλιπή για τις
άλλες μορφές inverter όπως είναι εδώ που έχουμε δύο Transistor Forward.
Ο λόγος είναι πώς ο κύκλος λειτουργίας του εξαρτάται απολύτως από την επιστροφή δείγματος του κυρίως οχετού ρεύματος του μετασχηματιστή.

Φυσικά η διάταξη αυτή υπάρχει και εδώ, αλλά είναι η περιγραφή της λίγο νεφελώδης παρά την πολύ σημαντική εργασία της.

Όταν δε δεν κολλάμε και δεν υπάρχει ρεύμα οχετού στον μετασχηματιστή και φυσικά δεν έχουμε Feedback ρεύματος το συγκεκριμένο IC στέλνει τη έξοδο του το duty-cycle στο 50% με αποτέλεσμα πολύ μεγάλη άεργη ισχύ και υψηλές απώλειες και η τάση εξόδου στον θεό

Σαφώς η σταθεροποίηση του ρεύματος εξόδου είναι προτιμότερη να γίνεται μετρώντας το με μία Shunt, με κατάλληλο κύκλωμα.

Κατόπιν είναι η επιλογή της συχνότητας. 40 Kc είναι πολύ υψηλή παρά την επιλογή σύγχρονων και γρήγορων IGBT μην ξεχνούμε πως οι χρόνοι τους ton και toff είναι δεκαπλάσιοι από αντίστοιχα MOSFET. Αυτό σημαίνει πως οι απώλειες επί των IGBT ανεβαίνουν όσο ανεβαίνει η συχνότητα. Υψηλή θερμοκρασία στα ψυγεία κτλ.
Κατά την γνώμη μου τα 20Kc είναι η οροφή για τα IGBT, και φυσικά θέλουν
μετασχηματιστές με μεγάλη μαγνητική διαπερατότητα και κάποιες στροφές παραπάνω των πηνίων. Ομιλώ από πρακτικής πλευράς και μόνο.

Παρατήρησα πως έχεις αρκετές στροφές στα τυλίγματα αλλά δεν μπορώ να βρω με τα στοιχεία που δίνεις τους φερρίτες EE7030. Μήπως εννοείς τον E70/33/32 ?
Αν εννοείς τον E70/33/32 αυτός είναι βέβαια μεγάλος αλλά πιστεύω μάλλον φτωχός για τα 180 Αμπέρ. Ίσως να έφθαναν αν είχαμε δύο και συχνότητα 100 Kc.

Μία πολύ σημαντική παράμετρο που δεν αναφέρεις είναι το διάκενο (Gap) του L2.
Αν το πηνίο αυτό λόγω του μεγάλου συνεχούς ρεύματος και του παλμού υψηλής τάσης που το διαρρέει δεν έχει διάκενο στον πυρήνα του, έρχεται πολύ σύντομα στον κορεσμό και όταν αυτό συμβεί τότε πέφτουν οι ασφάλειες.

Το κύκλωμα οδήγησης των IGBT είναι κοινότυπο και αρκετά καλό. Μου άρεσε όμως το κύκλωμα από την πλευρά του πρωτεύοντος του οδηγού μετασχηματιστή TR1 που χρησιμοποιείς την μέθοδο Forward μονού Transistor.

Όλα αυτά που έγραψα βέβαια είναι για το καλάθι των αχρήστων αν η κατασκευή σου εργάζεται κανονικά και χωρίς προβλήματα.

Δημήτρης Τζανής