Εμφάνιση αποτελεσμάτων : 1 έως 10 από 10

Θέμα: IGBT προβλημα?

  1. #1
    Μέλος Το avatar του χρήστη michaelcom
    Όνομα
    Μιχαλης
    Εγγραφή
    Jun 2010
    Περιοχή
    Στο κοσμο μου
    Μηνύματα
    744

    Προεπιλογή IGBT προβλημα?

    λοιπον εχω αυτο το igbt IRGPS40B120UDP

    Το δοκιμασα στην αρχη να δω αμα δουλευει!

    Η δοκιμη εγινε με μια λαμπα αυτοκινητου στα 12V οταν λοιπον στο gate εβαλα 12V η λαμπα αναψε τερμα και ολα καλα καποια στιγμη λοιπον τυχαια ακουμπισαν στο gate 5v και η ενταση της λαμπας επεσε!!!

    Πως γινεται αυτο εγω ξερω οτι τα IGBT ειναι on και off μονο δεν εχουν linear περιοχη..

    Σωστα η λαθως τα εχω καταλαβει?

    0 Not allowed! Not allowed!

  2. #2
    Μέλος Το avatar του χρήστη spiroscfu
    Όνομα
    Σπύρος
    Εγγραφή
    Aug 2010
    Περιοχή
    Κέρκυρα
    Μηνύματα
    4.652

    Προεπιλογή

    Λάθος φυσικά και έχουν, δες το εσωτερικό ενός igbt
    Microsemi_IGBT_P1_Fig2.gif
    όπως βλέπεις υπάρχει το φετ στην πύλη ("βάση")
    εσύ δίνοντάς του 5V GE μπορεί να είσουν και οριακά στην Vge(threshold) "το όριο τάσης που από εκεί και πάνω κλείνουν οι Collector/Emitter"

    Φυσικά αν δεις το datasheet από κάποιο igbt ή και fet θα διαπιστώσεις που σε κάποια mV πάνω από την threshold voltage η αντίσταση μεταξύ S/D ή C/E μικραίνει πολύ αμέσως.

    0 Not allowed! Not allowed!

  3. Ένα μέλος ευχαρίστησε τον spiroscfu για αυτό το χρήσιμο μήνυμα:

    ultra (10-07-12)

  4. #3
    Μέλος Το avatar του χρήστη Γιώργος Φυσικός
    Όνομα
    Γιώργος
    Εγγραφή
    Jun 2012
    Περιοχή
    Πάτρα
    Μηνύματα
    860

    Προεπιλογή

    asdfasdfasdfasd το ίδιο έγραψα

    0 Not allowed! Not allowed!
    "Αλλά υπάρχουν και οι ψυχές, όπως αυτή μιας σαρδέλας ή άλλων πραμάτων που τρως, που είναι κατωτέρου επιπέδου: όταν πίνεις ένα ποτήρι νερό, παίρνεις ένα εκατομμύριο ψυχές. Αυτές οι ψυχές λέγονται Στοιχειώδη." - Γ. Γκιόλβας, για τα στοιχειώδη σωμάτια.

    Ignored users: 14. Will you be the next one?

  5. #4
    Μέλος Το avatar του χρήστη Γιώργος Φυσικός
    Όνομα
    Γιώργος
    Εγγραφή
    Jun 2012
    Περιοχή
    Πάτρα
    Μηνύματα
    860

    Προεπιλογή

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από spiroscfu Εμφάνιση μηνυμάτων
    Λάθος φυσικά και έχουν, δες το εσωτερικό ενός igbt
    θα ήμουν ψείρας αν έλεγα ότι αυτό ονομάζεται καλύτερα "ισοδύναμο κύκλωμα" ενός igbt;

    0 Not allowed! Not allowed!
    "Αλλά υπάρχουν και οι ψυχές, όπως αυτή μιας σαρδέλας ή άλλων πραμάτων που τρως, που είναι κατωτέρου επιπέδου: όταν πίνεις ένα ποτήρι νερό, παίρνεις ένα εκατομμύριο ψυχές. Αυτές οι ψυχές λέγονται Στοιχειώδη." - Γ. Γκιόλβας, για τα στοιχειώδη σωμάτια.

    Ignored users: 14. Will you be the next one?

  6. #5
    Μέλος Το avatar του χρήστη TSAKALI
    Όνομα
    Σαββας
    Εγγραφή
    Jul 2009
    Περιοχή
    2 Mountain
    Μηνύματα
    712

    Προεπιλογή

    Μαλλον....το εκαψες

    0 Not allowed! Not allowed!

  7. #6
    Μέλος Το avatar του χρήστη michaelcom
    Όνομα
    Μιχαλης
    Εγγραφή
    Jun 2010
    Περιοχή
    Στο κοσμο μου
    Μηνύματα
    744

    Προεπιλογή

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από TSAKALI Εμφάνιση μηνυμάτων
    Μαλλον....το εκαψες
    Μα ομως ανοιγει τερμα σβηνει τερμα απλα ειναι σαν να δουλευει σαν μοσφετ!!

    Περιεργο και οχι μονο αυτο αλλα αντεχει και Α

    0 Not allowed! Not allowed!

  8. #7
    Μέλος Το avatar του χρήστη spiroscfu
    Όνομα
    Σπύρος
    Εγγραφή
    Aug 2010
    Περιοχή
    Κέρκυρα
    Μηνύματα
    4.652

    Προεπιλογή

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από TSAKALI Εμφάνιση μηνυμάτων
    Μαλλον....το εκαψες
    Γιατί?

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από michaelcom Εμφάνιση μηνυμάτων
    Μα ομως ανοιγει τερμα σβηνει τερμα απλα ειναι σαν να δουλευει σαν μοσφετ!!

    Περιεργο και οχι μονο αυτο αλλα αντεχει και Α
    Έτσι δουλεύει,
    οι διαφορές που έχουν αν θυμάμαι καλά είναι.
    Το igbt δουλεύεται σε μικρότερες συχνότητες (μέχρι κάποιες δεκάδες Khz) και έχει μικρότερες απώλειες μεταξύ C/E (που συνεπάγεται μεγαλύτερες ισχύς),
    ενώ τα mosfet δουλεύονται και σε αρκετά μεγαλύτερες συχνότητες (Mhz και βάλε) αλλά οι απώλειες S/D είναι μεγαλύτερες (μικρότερες ισχύς).

    και τέλος τα igbt μπορούν να διαχειριστούν μεγαλύτερες τάσεις.

    0 Not allowed! Not allowed!

  9. #8
    Μέλος Το avatar του χρήστη michaelcom
    Όνομα
    Μιχαλης
    Εγγραφή
    Jun 2010
    Περιοχή
    Στο κοσμο μου
    Μηνύματα
    744

    Προεπιλογή

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από spiroscfu Εμφάνιση μηνυμάτων
    Γιατί?


    Έτσι δουλεύει,
    οι διαφορές που έχουν αν θυμάμαι καλά είναι.
    Το igbt δουλεύεται σε μικρότερες συχνότητες (μέχρι κάποιες δεκάδες Khz) και έχει μικρότερες απώλειες μεταξύ C/E (που συνεπάγεται μεγαλύτερες ισχύς),
    ενώ τα mosfet δουλεύονται και σε αρκετά μεγαλύτερες συχνότητες (Mhz και βάλε) αλλά οι απώλειες S/D είναι μεγαλύτερες (μικρότερες ισχύς).

    και τέλος τα igbt μπορούν να διαχειριστούν μεγαλύτερες τάσεις.
    Ναι
    βασικα απο οσο εψαξα αυτες ειναι οι διαφορες! καποια δεν πανε ουτε καν Khz και ειναι σχεδιασμενα για DC
    Δλδ εχουν γραμικη περιοχη κανονικα??
    Οποτε δουλευουν μια χαρα τα IGBT???
    Γιατι εχω 4 και ολα ετσι δουλευουν!!!

    0 Not allowed! Not allowed!

  10. #9
    Μέλος
    Εγγραφή
    Apr 2008
    Μηνύματα
    1.376

    Προεπιλογή

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από michaelcom Εμφάνιση μηνυμάτων
    λοιπον εχω αυτο το igbt IRGPS40B120UDP

    Το δοκιμασα στην αρχη να δω αμα δουλευει!

    Η δοκιμη εγινε με μια λαμπα αυτοκινητου στα 12V οταν λοιπον στο gate εβαλα 12V η λαμπα αναψε τερμα και ολα καλα καποια στιγμη λοιπον τυχαια ακουμπισαν στο gate 5v και η ενταση της λαμπας επεσε!!!

    Πως γινεται αυτο εγω ξερω οτι τα IGBT ειναι on και off μονο δεν εχουν linear περιοχη..

    Σωστα η λαθως τα εχω καταλαβει?
    Τοδιπολικό transistor επαφήςμονωμένηςπύλης IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) είναι ένας ημιαγωγός διακόπτης ισχύος. Το IGBT είναι ένα στοιχείο το οποίο συνδυάζει τα πλεονεκτήματα των διπολικών transistor μ’ εκείνα των MOSFET
    Το στοιχείο που διαφοροποιεί το IGBT από το MOSFET είναι η περιοχή τύπου p+ με την οποία συνδέεται ο ακροδέκτης του συλλέκτη. Η περιοχή αυτή δεν υπάρχει στα MOSFET.
    Οι χαρακτηριστικές εξόδου του IGBT παρουσιάζουν τη μεταβολή του ρεύματος συλλέκτη IC, με την τάση συλλέκτη–εκπομπού VCE και παράμετρο την τάση πύλης–εκπομπού VGE
    Οι χαρακτηριστικές εξόδου κατά την ορθή πόλωση του IGBT είναι όμοιες μ’ εκείνες των BJT σήματος. Η διαφορά είναι ότι το ρεύμα του συλλέκτη δεν εξαρτάται από το ρεύμα της βάσηςαλλά από την τάση της πύλης. Το IGBT είναι ένα διπολικό transistor ελεγχόμενο από τάση, όπωςτα MOSFET
    Κατά την ορθή πόλωση, όταν η τάση πύλης–εκπομπού VGE είναι μικρότερη της τάσης κατωφλίου VGE(th), η οποία είναι αντίστοιχη της τάσης VGS(th) των MOSFET, το στοιχείο βρίσκεται σε κατάσταση ορθής αποκοπής. Στην ορθή αποκοπή το IGBT διαρρέετε από ένα ελάχιστο ρεύμα διαρροής, καθώς δεν υπάρχει το στρώμα αναστροφής (κανάλι n) μεταξύ του εκπομπού και της περιοχής ολίσθησης.
    Οι μέγιστες τιμές των τάσεων και των ρευμάτων που επιτρέπεται να εφαρμοστούν σ’ ένα IGBT προσδιορίζονται, όπως στα BJT και τα MOSFET ισχύος, από τις περιοχές ασφαλούς λειτουργίας (Safe Operating Areas).
    Στα IGBT οι κατασκευαστές ορίζουν τρεις SOA. Την SOA έναυσης (turn–on) ή ορθής πόλωσης FBSOA (Forward Bias SOA), την SOA σβέσης (turn–off) ή ανάστροφης πόλωσης RBSOA (Reverse Bias SOA).και την SOA βραχυκύκλωσης SCSOA (Short Circuit SOA).
    Η FBSOA των IGBT είναι όμοια μ’ εκείνη των MOSFET ισχύος και τετράγωνη σε μικρούς χρόνους έναυσης. Η FBSOA περιορίζεται από το μέγιστο ρεύμα του συλλέκτη ICM(pulse), την τάση διάσπασης VCES, και τη μέγιστη θερμοκρασία της επαφής Tj(max). Το ρεύμα ICM(pulse) είναι το μέγιστο παλμικό ρεύμα το οποίο μπορεί να εφαρμοστεί στο στοιχείο ώστε να αποφεύγεται η μανδάλωση.

    φιλικα

    0 Not allowed! Not allowed!

  11. #10
    Μέλος Το avatar του χρήστη michaelcom
    Όνομα
    Μιχαλης
    Εγγραφή
    Jun 2010
    Περιοχή
    Στο κοσμο μου
    Μηνύματα
    744

    Προεπιλογή

    Παράθεση Αρχικό μήνυμα από BESTCHRISS Εμφάνιση μηνυμάτων
    Τοδιπολικό transistor επαφήςμονωμένηςπύλης IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) είναι ένας ημιαγωγός διακόπτης ισχύος. Το IGBT είναι ένα στοιχείο το οποίο συνδυάζει τα πλεονεκτήματα των διπολικών transistor μ’ εκείνα των MOSFET
    Το στοιχείο που διαφοροποιεί το IGBT από το MOSFET είναι η περιοχή τύπου p+ με την οποία συνδέεται ο ακροδέκτης του συλλέκτη. Η περιοχή αυτή δεν υπάρχει στα MOSFET.
    Οι χαρακτηριστικές εξόδου του IGBT παρουσιάζουν τη μεταβολή του ρεύματος συλλέκτη IC, με την τάση συλλέκτη–εκπομπού VCE και παράμετρο την τάση πύλης–εκπομπού VGE
    Οι χαρακτηριστικές εξόδου κατά την ορθή πόλωση του IGBT είναι όμοιες μ’ εκείνες των BJT σήματος. Η διαφορά είναι ότι το ρεύμα του συλλέκτη δεν εξαρτάται από το ρεύμα της βάσηςαλλά από την τάση της πύλης. Το IGBT είναι ένα διπολικό transistor ελεγχόμενο από τάση, όπωςτα MOSFET
    Κατά την ορθή πόλωση, όταν η τάση πύλης–εκπομπού VGE είναι μικρότερη της τάσης κατωφλίου VGE(th), η οποία είναι αντίστοιχη της τάσης VGS(th) των MOSFET, το στοιχείο βρίσκεται σε κατάσταση ορθής αποκοπής. Στην ορθή αποκοπή το IGBT διαρρέετε από ένα ελάχιστο ρεύμα διαρροής, καθώς δεν υπάρχει το στρώμα αναστροφής (κανάλι n) μεταξύ του εκπομπού και της περιοχής ολίσθησης.
    Οι μέγιστες τιμές των τάσεων και των ρευμάτων που επιτρέπεται να εφαρμοστούν σ’ ένα IGBT προσδιορίζονται, όπως στα BJT και τα MOSFET ισχύος, από τις περιοχές ασφαλούς λειτουργίας (Safe Operating Areas).
    Στα IGBT οι κατασκευαστές ορίζουν τρεις SOA. Την SOA έναυσης (turn–on) ή ορθής πόλωσης FBSOA (Forward Bias SOA), την SOA σβέσης (turn–off) ή ανάστροφης πόλωσης RBSOA (Reverse Bias SOA).και την SOA βραχυκύκλωσης SCSOA (Short Circuit SOA).
    Η FBSOA των IGBT είναι όμοια μ’ εκείνη των MOSFET ισχύος και τετράγωνη σε μικρούς χρόνους έναυσης. Η FBSOA περιορίζεται από το μέγιστο ρεύμα του συλλέκτη ICM(pulse), την τάση διάσπασης VCES, και τη μέγιστη θερμοκρασία της επαφής Tj(max). Το ρεύμα ICM(pulse) είναι το μέγιστο παλμικό ρεύμα το οποίο μπορεί να εφαρμοστεί στο στοιχείο ώστε να αποφεύγεται η μανδάλωση.

    φιλικα
    Οποτε μια χαρα δουλευεουν!

    0 Not allowed! Not allowed!

Παρόμοια Θέματα

  1. IGBT H20R1203
    By andyferraristi in forum Εξαρτήματα & Datasheets
    Απαντήσεις: 11
    Τελευταίο Μήνυμα: 09-09-16, 11:10
  2. Mosfet/IGBT driver IRS21091
    By SProg in forum Εξαρτήματα & Datasheets
    Απαντήσεις: 3
    Τελευταίο Μήνυμα: 27-07-15, 14:18
  3. Mosfet vs IGBT (εσωτερικη αντισταση)
    By michaelcom in forum Ερωτήσεις Αρχάριων
    Απαντήσεις: 12
    Τελευταίο Μήνυμα: 12-09-12, 01:48
  4. Ηλεκτροκολληση inverter - IGBT και RC Snubber
    By lvionis in forum Ερωτήσεις Αρχάριων
    Απαντήσεις: 5
    Τελευταίο Μήνυμα: 25-02-11, 18:19
  5. περι IGBT
    By lynx in forum Ηλεκτρονικά
    Απαντήσεις: 3
    Τελευταίο Μήνυμα: 30-01-07, 18:28

Δικαιώματα - Επιλογές

  • Δημιουργία θεμάτων: Όχι
  • Υποβολή μηνυμάτων: Όχι
  • Σύναψη αρχείων: Όχι
  • Επεξεργασία μηνυμάτων: Όχι
  •  
  • BB code: σε λειτουργία
  • Smilies: σε λειτουργία
  • [IMG]: σε λειτουργία
  • [VIDEO] code is σε λειτουργία
  • HTML: εκτός λειτουργίας