Αρχικό μήνυμα από
BESTCHRISS
Τοδιπολικό transistor επαφήςμονωμένηςπύλης IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) είναι ένας ημιαγωγός διακόπτης ισχύος. Το IGBT είναι ένα στοιχείο το οποίο συνδυάζει τα πλεονεκτήματα των διπολικών transistor μ’ εκείνα των MOSFET
Το στοιχείο που διαφοροποιεί το IGBT από το MOSFET είναι η περιοχή τύπου p+ με την οποία συνδέεται ο ακροδέκτης του συλλέκτη. Η περιοχή αυτή δεν υπάρχει στα MOSFET.
Οι χαρακτηριστικές εξόδου του IGBT παρουσιάζουν τη μεταβολή του ρεύματος συλλέκτη IC, με την τάση συλλέκτη–εκπομπού VCE και παράμετρο την τάση πύλης–εκπομπού VGE
Οι χαρακτηριστικές εξόδου κατά την ορθή πόλωση του IGBT είναι όμοιες μ’ εκείνες των BJT σήματος. Η διαφορά είναι ότι το ρεύμα του συλλέκτη δεν εξαρτάται από το ρεύμα της βάσηςαλλά από την τάση της πύλης. Το IGBT είναι ένα διπολικό transistor ελεγχόμενο από τάση, όπωςτα MOSFET
Κατά την ορθή πόλωση, όταν η τάση πύλης–εκπομπού VGE είναι μικρότερη της τάσης κατωφλίου VGE(th), η οποία είναι αντίστοιχη της τάσης VGS(th) των MOSFET, το στοιχείο βρίσκεται σε κατάσταση ορθής αποκοπής. Στην ορθή αποκοπή το IGBT διαρρέετε από ένα ελάχιστο ρεύμα διαρροής, καθώς δεν υπάρχει το στρώμα αναστροφής (κανάλι n) μεταξύ του εκπομπού και της περιοχής ολίσθησης.
Οι μέγιστες τιμές των τάσεων και των ρευμάτων που επιτρέπεται να εφαρμοστούν σ’ ένα IGBT προσδιορίζονται, όπως στα BJT και τα MOSFET ισχύος, από τις περιοχές ασφαλούς λειτουργίας (Safe Operating Areas).
Στα IGBT οι κατασκευαστές ορίζουν τρεις SOA. Την SOA έναυσης (turn–on) ή ορθής πόλωσης FBSOA (Forward Bias SOA), την SOA σβέσης (turn–off) ή ανάστροφης πόλωσης RBSOA (Reverse Bias SOA).και την SOA βραχυκύκλωσης SCSOA (Short Circuit SOA).
Η FBSOA των IGBT είναι όμοια μ’ εκείνη των MOSFET ισχύος και τετράγωνη σε μικρούς χρόνους έναυσης. Η FBSOA περιορίζεται από το μέγιστο ρεύμα του συλλέκτη ICM(pulse), την τάση διάσπασης VCES, και τη μέγιστη θερμοκρασία της επαφής Tj(max). Το ρεύμα ICM(pulse) είναι το μέγιστο παλμικό ρεύμα το οποίο μπορεί να εφαρμοστεί στο στοιχείο ώστε να αποφεύγεται η μανδάλωση.
φιλικα