Ηλεκτροκόλληση 180A inverter. Προσπάθεια ανακατασκευής. Μέρος 1ο

[valis]

Πιθανον να μην κανει ο πυρηνας για την χρηση που τον θελεις, αλλα προχωρα στο σχεδιο κια βλεπουμε.

[elektronio]

Όπως αντιλαμβάνομαι από τα γραφόμενα πρόκειται για υβριδική ηλεκτροσυγκόλληση με υλικά ότι μας περίσσεψε.

Επειδή (πάλι όπως έχω αντιληφθεί από τα γραφόμενα) η συσκευή θα προχωρήσει βάζουμε και δοκιμάζουμε να έχεις υπόψη ότι τα FET ή τα IGBT όπως προτάθηκε αν δεν είναι όλα σωστά χρειάζονται λιγότρερο από 1 δευτερόλεπτο για να ανατιναχτούν και τα παίρνεις όλα μαζί στο χέρι, οπότε πολύ σωστά είπε ο Δημήτρης ότι είναι ακριβό σπορ η κατασκευή ηλεκτροσυγκόλλησης inverter.

Παρ΄ όλα αυτά καλή επιτυχία.

[misterno]

οκ μια χαρα , αδερφε να ξερεις παντος οτι τα ηλεκτρονικα ισχυος ειναι ακριβο σπορ ! τι να πω ... προχωρα .... διαβασε το παρακατω ....
Mini ηλεκτροσυγκολληση inverter


υσ αυτο ειναι το σχηματικο απ την ελτο ? ???? γιατι αν ειναι και δεν το πηρες χαμπαρι εχει μεσα μοντουλ ! που ουτε καν γραφει τι κανει πιο ειναι , και ας πουμε οτι δουλευει .... θα πρεπει να αναγνωρισεις τι κανει που πως τι .... και οπως λεν αγγλοι γαλλοι και το κακο συναπαντημα ...reverse engineering ...

Δημήτρη Καλησπέρα.
Αν δεν είχα τα σχέδια για τα 3 πλακετάκια δεν θα τολμούσα καν να την ξεκινήσω. Σε λίγο θα ανεβάσω το σχέδιο από το module PWM με το TDA1060 με σχηματικό και πλακέτα.
Προς το παρόν ασχολούμαι με το σχηματικό και τις πιθανές τοποθετήσεις των υλικών για περιορισμό των πιθανών απωλειών.
Δεκτές προτάσεις από όλους.

[IRF]

Προσοχή όταν κάνεις την κατασκευή σου και αρχίσεις την πρώτη δοκιμή ΜΗΝ την αφήσεις ανοικτή και κοιτάζεις δίπλα. Υπάρχει κίνδυνος να πεταχτούν από βίαιη έκρηξη κομμάτια από διάφορα υλικά πυκνωτές -FET κ.α. που να προκαλέσουν σοβαρό τραυματισμό

[misterno]

Γιώργο ευχαριστώ για την συμβουλή. Θα φροντίσω να είμαι σε απόσταση ασφαλείας γιατί έχω δει FET να σκάνε και το θέαμα όσο και η εμπειρία δεν είναι καθόλου καλά.
Έχω την απορία όμως αν μπορώ να χρησιμοποιήσω τα FET IRFP450 που ήδη έχω ή πρέπει να βάλω οπωσδήποτε αυτά που λέει το σχέδιο.
Επανέρχομαι με το σχηματικό του module PWM με το TDA1060. Είναι σχετικά απλό. Η πλακέτα του έγινε στο eagle 6.3 με βάση το σχηματικό του module. Είναι διπλής όψης και περιέχει μερικά vias.

[valis]

Έχω την απορία όμως αν μπορώ να χρησιμοποιήσω τα FET IRFP450

Ναι εχει καλυτερα χαρακτηριστικα

[misterno]

Φίλοι μου Καλησπέρα.

Στο 2ο αυτό μέρος σας παραθέτω το σχηματικό του module παλμών.
Αποτελείται από ένα LM555 ως γεννήτρια παλμών και το LM324 σε διάφορους ρόλους.
Το κύκλωμα έχει υλοποιηθεί σε πλακέτα διπλής όψης.
Για άγνωστο λόγο έχει χαθεί το αρχικό αρχείο πλακέτας αλλά υπάρχει το σχηματικό του.
Παραθέτω βέβαια και το ενδιάμεσο στάδιο κατασκευής της πλακέτας για όποιον θέλει να το επεξεργαστεί.
Σύντομα θα γίνει και η υλοποίηση της πλακέτας σε eagle 6.3 για όποιον θέλει να το φτιάξει οπότε λίγη υπομονή.
Όπως πάντα περιμένω τις σκέψεις σας μέχρι να αποφασιστεί η τελική κατασκευή.
IMAG0103.jpgIMAG0104.jpgIMAG0105.jpg
Υ.Σ μόλις τελειώσει η πλακέτα αυτή, θα δημοσιευθεί στο παρόν μήνυμα.

[picdev]

Με μια προχειρη ματια το κυκλωμα φαινεται ενταξει, λειπει βεβαια το κυκλωμα active pfc αλλα δουλευει και χωρις αυτο.
Ενα αλλο σημειο που δεν μου αρεσει ειναι οτι η εξοδος (h-bridge) υλοποιειται με 2 mosfet και 2 διοδους, αντι για 4 mosfet.


Το παρακατω σχηματικό ειναι το στανταρντ h-bridge το οποιο χρησιμοποιω. Εχω βαλει mosfet επειδη δουλευει στα 300 με 400 khz αλλα καλυτερα να βαλεις igbt
Συνημμένο Αρχείο 65370

https://flic.kr/p/fAsmT3
Το controller ποιο ειναι ?

Μπορείς να μου.εξηγησεις γιατί έχεις βάλει αυτές τις διόδους στις βάσεις των φετ ? Ήξερα για ειδικές διοδους στις βάσεις του για προστασία από υπέρταση αλλά αυτό που έχεις βάλει δεν το καταλαβαίνω .
Ευχαριστω

Στάλθηκε από το 2014813 μου χρησιμοποιώντας Tapatalk

[valis]

Πολυ σωστη παρατηρηση, το προσθετο κυκλωμα μπαινει σε διαταξεις half & h-bridge.
Eπειδη η εσωτερικη διοδος που εχουν τα μοσφετ ειναι πολυ αργη, υπαρει πιθανοτητα ο επομενος κυκλος να την προλαβει
ανοιχτη με αποτελεσμα το συμμετρικο του μοσφετ να την δει σαν βραχυκυκλωμα.
Οποτε μπαινει αλλη μια αντιπαραλληλη διοδος παραλληλα με την εσωτερικη και επειδη η ταση και στις 2 διοδους ειναι
ιδια βαζουμε σε σειρα και μια schottky για να ειμαστε σιγουροι οτι θα ανοιξει μονο η εξωτερική διοδος.

Η αντιπαραλληλη εσωτερική διοδος (intrinsic diode) δεν ειναι επιλογη του κατασκευστη, δημιουργειται απο την κατασκευή
Καπου ειχα δει οτι εχουν βγει mosfet χωρις την διοδο αλλα απο τιμη χαλια.

Σε πηνια τεσλα βαζουν σχεδον ολοι
Ριξε μια ματια εδω http://www.richieburnett.co.uk/mosfail.html στην παραγραφο Slow reverse recovery of MOSFET body diode
η γεφυρα για την ωρα δουλευει σε πηνιο τεσλα αλλα προοριζεται για επαγωγικη θερμανση (οταν βρεθουν τα λευτα)

[arkoudiaris]

Σπύρο, νομίζω ότι ο άκης μιλάει για τις διόδους στο gate των μοσφετ, που είναι για προστάσια. Άκη δίοδος σε σειρά με ζένερ. Όταν η τάση στο gate ξεπεράσει κατά την πτώση της διόδου την τάση των ζένερ είτε θετικά είτε αρνητικά θα άγει ένα από τα δύο δικτυώματα.

Σπύρο όμως σίγουρα υπάρχει αυτό το πρόβλημα σε διατάξεις half - full bridges? Χωρίς να έχω την εμπειρία θα έλεγα πως όχι, γιατί ενώ όντως όταν θα σταματήσει να άγει το άνω μοσφετ (με επαγωγικό φορτίο) θα αρχίσει να άγει η εσωτερική διοδος του κάτω, στην συνέχεια όμως θα άγει το κάτω μοσφετ φέρνοντας σε αποκοπή την εσωτερική του δίοδο. Ή από φυσικής πλευράς δεν είναι δυνατόν να γίνει αυτό όταν η συχνότητα ανεβαίνει πάρα πολύ?