Γιατί ΔΥΟ τρανζίστορ για οδήγηση Πύλης MOSFET ?

[selectronic]

Κύριοι θα ήθελα τα φώτα σας:

Στο παρακάτω κύκλωμα γιατί χρειάζεται το TR2 ???
Έχει να κάνει κάτι με την χωρητικότητα της Πύλης?

Αυτό που βλέπω είναι ότι στην Πύλη του MOSFET θέλουμε ένα "τετράγωνο" που να το ανοιγοκλείνει, το οποίο θα ξεκινήσει από το pin2 του IC1 και μέσω του TR1 φτάνει στην Πύλη:
Όταν ο παλμός είναι "high", το TR1 άγει και τα "+12V" περνάνε στην Πύλη του MOSFET. Όταν ο παλμός είναι "low" η Πύλη μπορεί να "γειωθεί" μέσω της (pull-down) R4.
Αυτή τη συνδεσμολογία (ένα TR για "high" για μία pull-down αντίσταση για "low") την έχω δει σε πολλά σχέδια, αλλά εδώ γιατί υπάρχει και δεύτερο TR για να "κλείνει" την Πύλη (αν αυτή είναι η λειτουργία του)?

Ευχαριστώ για τον χρόνο σας!

KA34063A Step-Up Car PSU (12V to 15-24V).jpgKA34063A.jpg

[FILMAN]

Έτσι όπως τα λες είναι, απλά αν βασιστείς μόνο στην ύπαρξη της R4, η C_GS του MOSFET θα αργήσει να αδειάσει, οπότε και το MOSFET θα αργήσει να αποκοπεί, και μάλιστα για κάποιο χρόνο θα είναι στην ενεργό περιοχή (η καλύτερη συνταγή για υπερθέρμανσή του σε switching κυκλώματα). Δηλαδή είναι θέμα ταχύτητας αποκοπής του MOSFET και τίποτα παραπάνω.

[selectronic]

Κατάλαβα... Υπάρχει κάποιος πολύ χονδρικός κανόνας, πχ σαν τον "1000μF ή 2200μF πυκνωτή εξομάλυνσης ανά Αμπέρ εξόδου σε τροφοδοτικό" (ΠΟΛΥ στο περίπου δηλαδή) που να λέει από ποια συχνότητα και πάνω πρέπει/θα ήταν καλό να χρησιμοποιούμε αυτή τη συνδεσμολογία?

[SProg]

Οχι δεν υπαρχει.

Εχει να κανει με τα χαρακτηριστικα της πυλης και του εκαστοτε Mosfet,με τη συχνοτητα,με το κυκλο εργασιας και ακομα και με το φορτιο.Ακομα και οι χρονοι που αναγραφονται στα Datasheet ειναι κατω απο καλες...παρα πολυ καλες συνθηκες (υπαρχει σχετικο αρθρο της Vishay).


Υπαρχει ενα σχετικο excel απο την Infineon/IRF που βαζεις τα στοιχεια και τους επιθυμητους χρονος .. και σου υπολογιζει το ελαχιστον ρευμα πυλης.