Πολλαπλά τρανζίστορ TO-3 παράλληλα: αραιή ή πυκνή τοποθέτηση στην ψήκτρα ?

[selectronic]

Καλησπέρα σε όλους.

Παρόλο που εγώ δεν βλέπω μεγάλη διαφορά ανάμεσα στις δύο εκδοχές που είναι στις φωτό παρακάτω, τι πιστεύετε εσείς είναι καλύτερο:
Λίγο πιο αραιά τοποθετημένα στην ψήκτρα (για καλύτερη κατανομή της θερμότητας στην ψήκτρα?) ή όσο πιο πυκνά μεταξύ τους γίνεται (για μικρότερο μήκος των καλωδίων που τα συνδέουν μεταξύ τους).

Αναφέρομαι στην περίπτωση που τα τρανζίστορ είναι συνδεδεμένα παράλληλα μεταξύ τους, πχ όλοι οι Συλλέκτες μεταξύ τους και οι Εκπομποί πάλι το ίδιο μέσω αντιστάσεων 0.xΩ (ή το ανάποδο για PNP).

[MacGyver]

Απλά μία ομοιόμορφη κατανομή, τίποτα περισσότερο. Ένα - δύο εκατοστά παραπάνω σύρμα στο dc δεν σημαίνουν τίποτα.
Δεν χρειάζονται και ψηφοφορία τα αυτονόητα. Αν επιμένεις, βάλε επιπλέον και το: Δεν ξέρω - δεν απαντώ!

[spirakos]

Ο,τι βολευει θα προτεινα, κλάιν
Τα επαγγελματικα συνηθιζουν να τα εχουν διπλα διπλα διαγωνια

[selectronic]

Απλά μία ομοιόμορφη κατανομή, τίποτα περισσότερο. Ένα - δύο εκατοστά παραπάνω σύρμα στο dc δεν σημαίνουν τίποτα.
Δεν χρειάζονται και ψηφοφορία τα αυτονόητα. Αν επιμένεις, βάλε επιπλέον και το: Δεν ξέρω - δεν απαντώ!

Σεβαστή η άποψή σου MacGyver, αλλά τουλάχιστον στο "Δεν Ξέρω - δεν απαντώ" διαφωνώ: όποιος δεν θέλει απλώς δεν απαντά.

Εκτός του θέματος λίγο τώρα, αν υπήρχε και η επιλογή "όσο πιο διάσπαρτα γίνεται" όπως στην παρακάτω φωτό, τι θα απαντούσες? Είναι και αυτό κατά της γνώση σου στην κατηγορία "λίγα cm παραπάνω δεν έχουν διαφορά" ?

Ευχαριστώ




Edit:
Αυτό που θα έπρεπε να είχα συμπεριλάβει απ' ότι βλέπω είναι το "Πρακτικά δεν υπάρχει διαφορά", αλλά δεν μπορώ να το αλλάξω τώρα :/

[Dragonborn]

Πρέπει να είναι σχετικά αραιά ώστε ο θερμοαπαγωγός να μην έχει ψυχρές περιοχές, οι οποίες δεν συνεισφέρουν αρκετά στην μετάδοση της θερμότητος προς το περιβάλλον και ταυτόχρονα πολύ θερμές περιοχές κοντά στα τρανζίστορ οι οποίες ανεβάζουν το Tj.

Στην ανάγκη, αν πρόκειται για κάποιο ειδικό κύκλωμα (μάλλον ξεφεύγει από τα μεγέθη του TO-3) και αν φοβάσαι την πτώση τάσεως, οι συνδέσεις μπορούν να γίνουν με μπάρες.

Γενικά το θερμικό πρόβλημα είναι δυσκολότερο από το ηλεκτρικό και καθορίζει την διαμόρφωση. Μπορείς να πάρεις μια πολύ κατατοπιστική εικόνα με θερμογραφική κάμερα στο πρωτότυπο.

[moutoulos]

Εξαρτάται απο πολλούς παράγοντες.

Καταρχήν έχει να κάνει με την απαγωγή θερμότητας του κάθε transistor πάνω στην ψήκτρα.
Γιατί είναι άλλο να "φεύγουν" στην ψήκτρα 4x10W=40W (α), και άλλο 4x50W=200W (β). Έχει
να κάνει και με την ποιότητα της ψήκτρας, αλλά Οκ ας μην το πάμε τόσο "πέρα" ...

Στην πρώτη περίπτωση (α) αυτή η ψήκτρα (φωτό) με όλα αυτά τα ισχύος ... θα ήταν υπερβολή.
Ενώ στην δεύτερη περίπτωση (β) αυτή η ψήκτρα με αυτά τα ισχύος όπως είναι και οι φέτες σε
οριζόντια διάταξη, χωρίς χρήση FAN ... θα ήταν λίγη.

Αν όμως (όπως βλέπω) θα χρησιμοποιηθεί για φορτίο, που μάλλον σημαίνει λίγος χρόνος check,
τότε είναι Οκ. Αν όμως έχεις σκοπό να testάρεις στο συγκεκριμένο φορτίο για συνεχόμενες και
πολλές ώρες χωρίς χρήση FAN ... μάλλον θα έχεις πρόβλημα. Εξαρτάται λοιπόν και απο τον χρόνο
που θα κάνει "test".

Όλο αυτό βέβαια είπαμε, έχει να κάνει με το ρεύμα που διαρρέει τα transistors που μετατρέπεται
σε θερμότητα πάνω στην ψήκτρα. Αν πχ μιλάμε για 2Α σύνολο, δεν χρειάζεται να ανησυχείς ποτέ.

Το αν λοιπόν είναι πυκνή ή αραιή η διάταξη των transistor, σαφώς και μετράει, αλλά δεν είναι
ο μόνος καθοριστικός παράγοντας για την σωστή λειτουργία του Dummy (αν είναι φορτίο).

[selectronic]

Εξαρτάται απο πολλούς παράγοντες.

Καταρχήν έχει να κάνει με την απαγωγή θερμότητας του κάθε transistor πάνω στην ψήκτρα.
Γιατί είναι άλλο να "φεύγουν" στην ψήκτρα 4x10W=40W (α), και άλλο 4x50W=200W (β). Έχει
να κάνει και με την ποιότητα της ψήκτρας, αλλά Οκ ας μην το πάμε τόσο "πέρα" ...

Στην πρώτη περίπτωση (α) αυτή η ψήκτρα (φωτό) με όλα αυτά τα ισχύος ... θα ήταν υπερβολή.
Ενώ στην δεύτερη περίπτωση (β) αυτή η ψήκτρα με αυτά τα ισχύος όπως είναι και οι φέτες σε
οριζόντια διάταξη, χωρίς χρήση FAN ... θα ήταν λίγη.

Αν όμως (όπως βλέπω) θα χρησιμοποιηθεί για φορτίο, που μάλλον σημαίνει λίγος χρόνος check,
τότε είναι Οκ. Αν όμως έχεις σκοπό να testάρεις στο συγκεκριμένο φορτίο για συνεχόμενες και
πολλές ώρες χωρίς χρήση FAN ... μάλλον θα έχεις πρόβλημα. Εξαρτάται λοιπόν και απο τον χρόνο
που θα κάνει "test".

Όλο αυτό βέβαια είπαμε, έχει να κάνει με το ρεύμα που διαρρέει τα transistors που μετατρέπεται
σε θερμότητα πάνω στην ψήκτρα. Αν πχ μιλάμε για 2Α σύνολο, δεν χρειάζεται να ανησυχείς ποτέ.

Το αν λοιπόν είναι πυκνή ή αραιή η διάταξη των transistor, σαφώς και μετράει, αλλά δεν είναι
ο μόνος καθοριστικός παράγοντας για την σωστή λειτουργία του Dummy (αν είναι φορτίο).

Ευχαριστώ για την απάντηση, αλλά δεν έχω το φορτίο αυτό, στο Google βρήκα αυτές τις φωτό και τις έβαλα για να δείξω τι εννοώ...
Εμένα το DC φορτίο μου έχει πιο πολλούς ημιαγωγούς, αλλά το έχω ακόμα χύμα... Μπορεί να το κάνω Arduinάτο όμως, αν μετρήσω μία τάση σωστά κάποια στιγμή XD

Το θέμα το έκανα πιο πολύ για την δημοσκόπηση, φαντάστηκα ότι εύκολα κάποιος μπορεί να κάνει ένα κλικ και να ψηφίσει, έτσι για να δω προς τα που κλείνουν οι περισσότεροι.
Αυτό γιατί εγώ δεν είμαι σίγουρος πιο είναι το πιο σωστό, βλέπω προτερήματα και μειονεκτήματα και στα δύο και όχι καθαρό νικητή.
Πάντως μιας και είσαι Διαχειριστής, αν μπορείς πρόσθεσε και μία επιλογή "Δεν υπάρχει διαφορά ανάμεσα στα δύο" σε παρακαλώ, αν δεν είναι κόπος

[moutoulos]

Οκ Γιάννη. Μπήκε η πρόσθετη επιλογή.

Τώρα σχετικά με αυτό που λες. Δεν υπάρχει "καθαρός νικητής".
Απλά θα πρέπει να το φέρεις στα μέτρα σου ή στις ανάγκες σου.

Τι να το κάνεις το απόλυτο Dummy όταν το δουλεύεις μια φορά
στο ποτέ, με <5Α max.

Δες τις ανάγκες σου, και φτιάξε το πιο βολικό για σένα.
Αν επιτρέπεται ... τι θα testάρεις και πόσο φορτίο ?. Απλά απο
περιέργεια για να μην μιλάμε θεωρητικά.

[selectronic]

...Απλά απο περιέργεια για να μην μιλάμε θεωρητικά.

Ευχαριστώ για την αλλαγή!

Σχετικά με το φορτίο, είδα πριν καιρό το βίντεο του Dave (EEVBlog) και είπα να φτιάξω ένα αφού το είδα εύκολο, για 5-10Α όμως να είναι πιο χρήσιμο. Δεν υπολόγισα όμως ότι ούτε πως πολώνονται τα MOSFET δεν ξέρω και επίσης η ιδέα βάλω μία μεγάλη σε Watt αντίσταση να καταναλώνει το μεγαλύτερο μέρος του φορτίου και το MOSFET ένα μικρότερο μέρος, απλώς ήταν λάθος. Τελικά το έκανα με έναν OpAmp και ένα MOSFET για λίγα αμπέρ και φυσικά το άφησα χύμα (χωρίς κουτι κτλ) όπως ότι κάνω...
Όταν λοιπών ήθελα να κάνω δοκιμές στον 0-40V/0-25A κλώνο/φρανκενστάιν του K7200 που φτιάχνω, που είναι έτοιμο 100% στο breadboard αλλά πρέπει να κάτσω να δω πως θα το βάλω σε διάτρητη (δεν βάζω φωτό λόγο ακαταστασίας), και έπρεπε να τραβάω 20-25Α στα 20V+ για να δω μέχρι ποια τάση αντέχει το χαμηλό τύλιγμα του μετ/στη, προσπαθούσα να προσθέσω στο ίδιο κύκλωμα ελένχου πιο πολλά MOSFET παράλληλα, με 0.1Ω/5W αντιστάσεις σαν τρανζίστορ, αλλά αν και δύο MOSFET κουτσοδουλέψανε και πίστεψα ότι παίζει, όταν έκατσα και έβαλα 6 έγινε ο κακός χαμός, δεν μοιραζότανε το φορτίο με τίποτα
Είχα ανεβάσει στο Youtube και ένα βίντεο τότε, όπου φαίνονται τα 100Hz με φορτίο (λόγο μικρού πυκνωτή εξομάλυνσης) αλλά και "τα περίεργα", τουλάχιστον ότι μπορεί να δείξει το gadget-παλμογράφος, γιατί έλεγα να ζητήσω βοήθεια εδώ, αλλά μετά από λίγο ακόμη Googlάρισμα το βρήκα: Κάπου σε ένα Application Note αν θυμάμαι καλά, έλεγε ότι πολλαπλά MOSFET παράλληλα δεν μπορούν να μοιραστούν το φορτίο σε αν δεν οδηγούνται παλμικά (πχ κύκλωμα εδώ), δηλαδή ότι προσπαθούσα να κάνω εγώ.
Μετά από δοκιμές που με έπεισαν ότι αυτό είναι το θέμα και όχι κάτι άλλο, δεν γίνεται να δουλέψουν σαν τρανζίστορ και να οδηγώ όλες τι Πύλες από μία "εντολή", είπα να κάνω την καρδία μου πέτρα και να βάλω έναν OpAmp για κάθε MOSFET και αυτό έκανα αλλά με άλλα 6, σύνολο 12x MOSFET με 3x LM324 (τετραπλοί OpAmp) για οδήγηση. Τότε πέρασα και το Proteus γιατί δεν ήθελα να ξεκινήσω να κολλάω υλικά στην διάτρητη και στην μέση να καταλάβω ότι δεν είναι η καλύτερη διάταξη αυτή που φτιάχνω... Τα "έβγαλε τα λεφτά του" το Proteus, όταν μου ξανάρθει η όρεξη θα φτιάξω και τον κλώνο του Velleman....

Όσο για την αρχική ερώτηση, τα 6x ΤΟ-3 του τροφοδοτικού θα βιδωθούν σε μία αλουμινένια γωνία, η οποία θα βιδωθεί σε μία ~ 30x27εκ ψήκτρα. Κάθε TO-3 έχει ~4εκ μήκος και έχω ~30εκ για να τα βάλω, οπότε μπορώ να τα έχω λίγο πιο διάσπαρτα ή να ακουμπάνε το ένα το άλλο, αν και δεν πιστεύω ότι υπάρχει μεγάλη διαφορά όπως έγραψα και στο πρώτο ποστ.
Και όταν μιλάμε για πχ 4 ΤΟ-3 σε ψήκτρα, εννοείτε ότι μιλάμε για υψηλό dissipation, αλλιώς ποιος ο λόγος να βάλεις 4 και όχι ένα, σωστά? Στο τροφοδοτικό τα έχω υπολογίσει για περίπου 20Vce@4.5Α max στο κάθε ένα, στο Dummy Load δεν θυμάμαι ακριβώς αλλά είναι πολλά τα MOSFET οπότε δεν υπάρχει πρόβλημα.
Αυτό που δεν είμαι σίγουρος ακόμα πως θα γίνει η σύνδεση στους Συλλέκτες, τα TR σίγουρα θα βιδωθούν είναι χωρίς μίκα, οπότε θα υπάρχει κάποια σύνδεση μέσω της ψήκτρας, αλλά μπορεί να βάλω και χοντρό (4mm μονόκλωνο) καλώδιο αν χρειαστεί, που δεν νομίζω. Από την μέρα που είδα το K7200 που έφτιαξε ο leosedf το παλεύω αυτό το τροφοδοτικό και ακόμα έχω "τεστ" να κάνω...

Αυτά, για να μην μιλάμε θεωρητικά
Ευχαριστώ και πάλι!

[Dbnn]

Τα πεταλα συνηθως θελουν ΧΟΝΤΡΑ καλωδια, καλυτερα ακομα ΜΟΝΟΚΛΟΝΑ και αναλογα τις απαιτησεις βαζεις ψυκτρα. Μπακαλιστικη προσεγκιση αν πιανεις την ψυκτρα που ειναι στις προδιαγραφες της εφαρμογης σου και ψηνεται βαζεις βεντιλατερ. Παρακολουθεις. Αν ψηνεται και παλι αλλαζεις ψυκτρα σε μεγαλυτερη. Ολα με δοκιμες φιλε μου.